1nm晶体管研究成果

研究成果

研究成果

多年以来，技术的发展都在遵循摩尔定律。即当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。不过放眼未来，摩尔定律开始有些失灵了，因为从芯片的制造来看，7nm就是物理极限。一旦晶体管大小低于这一数字，它们在物理形态上就会非常集中，以至于产生量子隧穿效应，为芯片制造带来巨大挑战。

此前，英特尔等芯片巨头表示它们将寻找能替代硅的新原料来制作7nm晶体管，而现在劳伦斯伯克利国家实验室走在了前面。它们的1nm晶体管由纳米碳管和二硫化钼制作而成，二硫化钼将担起原本半导体的职责，而纳米碳管则负责控制逻辑门中电子的流向。

眼下这一研究还停留在初级阶段，毕竟在14nm的制程下一个模具上就有超过10亿个晶体管，而要将晶体管缩小到1nm，大规模量产的困难有些过于巨大。不过这一研究依然具有非常重要的指导意义，新材料的发现未来将大大提升电脑的计算能力。 

（责任编辑：徐峻松）